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国产碳化硅最新停顿,功率IDM龙头低调入场

电子发热友网报道(文/黄晶晶)碳化硅SiC是宽禁带半导体资料的典范代表,具备高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等良好特征,成为建造低温、高频和大功率电力电子器件的抱负半导体资料。

外洋碳化硅半导体财产链成长起步早,从衬底到内涵片再到芯片的工艺产物绝对成熟,不过最近几年来国产碳化硅财产链也获得不小的前进。

据领会,本年以来,华润微电子已切入到碳化硅范畴,不管从产物线仍是手艺研发等规划来看,这家国际功率IDM龙头的入局将鞭策国产碳化硅进入新的阶段。

碳化硅市场款式

碳化硅财产链分为SiC衬底、EPI内涵片、器件、模组等关键,今朝环球碳化硅市场根基被外洋把持,按照Yole数据显现,Cree、英飞凌、罗姆约占有了90%的SiC市场份额,Cree是SiC衬底首要供给商,罗姆、意法半导体等具有本身的SiC出产线等。

衬底方面,国际支流产物从4英寸向6英寸过渡,Cree已开辟出8英寸衬底。国际衬底首要供给商有天科合达、山东天岳、同光晶体等能够或许供给3 英寸-6 英寸的单晶衬底。国际SiC衬底以4英寸为主,6英寸衬底另有待冲破。

2019年8月,华为经由过程旗下的哈勃科技投资无限公司投资了山东天岳公司,占股10%,显现华为正在规划新一代半导体资料手艺。

内涵片方面,国际厦门瀚每天成、东莞天域、世纪金光已能供给4英寸/6英寸SiC内涵片。今朝,6英寸碳化硅内涵片能够完成外乡供给。

SiC器件方面,国际上600~1700V SiC SBD、MOSFET 已完成财产化,支流产物耐压程度在1200V 以下,封装情势以TO 封装为主。价钱方面,国际上的SiC 产物价钱是对应Si 产物的5~6 倍,正以每一年10%的速率降落。据展望,跟着下游资料器件纷纭扩产上线,将来2~3年后市场供给加大,价钱将进一步降落,估计价钱到达对应Si 产物2~3 倍时,由体系本钱削减和机能晋升带来的上风将鞭策SiC 慢慢占据Si 器件的市场空间。

国际碳化硅器件供给商首要有中车时期电气、中电55所、中电13所、根基半导体、泰科天润、瑞能半导体等,和国际功率IDM龙头华润微电子也进入到这一范畴。